各種アナログマクロの開発実績の紹介。
ADコンバータ(ADC)
方式 |
分解能[bits] |
Vope[V] |
サンプリング[Hz] |
消費電流[uA] |
プロセス |
特長・備考 |
SAR |
10 |
1.1~1.3 |
300k |
110 |
SMIC 0.18u CMOS |
- 低電源電圧動作
- 低消費電流
- DNL:±0.9LSB以内
- INL:±2.5LSB以内
|
SAR |
10 |
1.75~1.85 |
70k |
120 |
TSMC 40n CMOS |
- DNL:±0.5LSB以内
- INL:±1.0LSB以内
- デジタルI/F:0.9V
|
SAR |
12 |
3.15~3.45 |
70k |
130 |
TSMC 0.13u CMOS |
- 差動入力
- DNL:±0.4LSB以内
- INL:±0.9LSB以内
- デジタルI/F:1.2V
|
SAR |
12 |
2.7~2.9 |
600k |
860 |
X-fab 0.35u CMOS |
- シングル入力
- DNL:±0.4LSB以内
- INL:±0.9LSB以内
- 直線性補正機能付き
|
ΔΣ |
16 |
3.0~3.6 |
1k |
1000 |
X-fab 0.18u CMOS |
|
DAコンバータ(DAC)
方式 |
分解能[bits] |
Vope[V] |
サンプリング[Hz] |
プロセス |
特長・備考 |
R-String |
10 |
3.0~3.6 |
30M |
R社 40n CMOS |
|
R2R |
10 |
4.5~5.5 |
230M |
X-fab 0.35u CMOS |
- DACの動作:250k[Hz]
- 単調増加:DNL 1LSB以内
|
R2R |
10 |
20~60 |
- |
X-fab 0.6u CMOS |
|
電源系(Power Supply)
タイプ |
Vope[V] |
Vout[V] |
Iout_max[A] |
Icc[A]無負荷動作時 |
発振周波数[MHz] |
プロセス |
特長・備考 |
BGR |
1.8~3.6 |
0.8 |
- |
1u |
- |
R社 90n CMOS |
|
BGR |
4.5~5.5 |
1.25 |
- |
50u |
- |
X-fab 0.35u CMOS |
|
LDO(4ch) |
3.1~4.5 |
|
100m |
10u/ch |
- |
R社 0.6u CMOS |
- LDO 4ch搭載
- 各LDOをシーケンス制御
- 出力電圧精度:±2%以内
|
降圧DC-DCコンバータ |
1.8~3.6 |
|
20m |
50u |
- |
R社 90n CMOS |
- PFM制御
- パワーTr.内蔵
- 出力電圧精度:±3%以内
|
LDO(3ch)+降圧DC-DCコンバータ |
2.7~6.5 |
|
800m |
|
2 |
R社 0.6u CMOS |
- PFM/PWM切り替え
- シーケンス制御
- 電流帰還形
- 低出力リップル
- ON抵抗:0.3Ω
- 短絡保護・過電流保護を装備
- パワーTr.内蔵
- 出力電圧精度:±3%以内
|
降圧DC-DCコンバータ |
2.7~6.5 |
4.2 |
2500m |
600u |
0.5 |
R社 0.15u CMOS |
- リチウムイオン電池充電用
- 電流帰還形
- 低出力リップル
- 電流検出は10mΩの低抵抗
- 定電流・低電圧特性
- パワーTr.外付け
- 出力電圧精度:±0.8%以内
|
昇圧DC-DCコンバータ |
2.7~4.5 |
5 |
1500m |
|
1 |
R社 0.15u CMOS |
- USB_OTGモード用
- PFM/PWM自動切換え
- 電流帰還形
- 短絡保護・過電流保護
- パワーTr.外付け
- 出力電圧精度:±5%以内
|
降圧DC-DCコンバータ |
3.0~3.6 |
1.1 |
200m |
2.7m |
1.2 |
R社 40n CMOS |
- PWM固定
- パワーTr.内蔵
- 出力電圧精度:±1%以内
|
※BGR:Band Gap Reference
※LDO:Low Drop Out
フィルター(Filter)
方式 |
構成 |
遮断周波数[Hz] |
消費電流[A] |
プロセス |
特長・備考 |
5次LPF |
SCF |
- 0.5k
- 1k
- 2k
- 5k
- 10k
- 20k
- 50k
- 100k
- 200k
|
2m |
X-fab 0.35u CMOS |
雑音除去用 |
2次BPF |
SCF |
33.2k |
230u |
R社 0.6u CMOS |
雑音除去用 |
オシレータ(OSC)
方式 |
Vope[V] |
発振周波数[MHz] |
消費電流[uA] |
プロセス |
特長・備考 |
RC発振 |
3~3.6 |
1 |
30 |
X-fab 0.18u CMOS |
トリミングなし |
リング発振 |
1.62~1.98 |
1 |
1800(CL:10pF駆動時) |
TSMC 0.18u CMOS |
トリミングなし |
SAW発振 |
1.3~1.98 |
400 |
2500 |
SMIC 0.18u CMOS |
ドライバ部の周波数特性調整回路付 |
Amplifier(AMP)
方式 |
ゲイン設定 |
ゲイン[倍] |
fc(min)[kHz] |
入力換算ノイズ[nV/√Hz] |
プロセス |
特長・備考 |
計装アンプ |
デジタル |
1~2000 |
200 |
15 |
X-fab 0.35u CMOS |
出力オフセット調整付 |